[实用新型]超级势垒整流器器件有效
| 申请号： | 201620618691.6 | 申请日： | 2016-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN205944101U | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 胡玮;陈茜;黄晓橹 | 申请（专利权）人： | 中航（重庆）微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 401331 重庆*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种超级势垒整流器器件，通过在N型漂移区引入超结结构，使用杂质掺杂浓度比传统单一N型漂移区提高近一个数量级的注入剂量，在传统单一N型漂移区形成电荷总量平衡的交替P‑型立柱和N‑型立柱的结构。该器件在较低反向电压时，漂移区受横向电场影响，P‑型立柱和N‑型立柱中耗尽层均匀展宽，其耗尽层宽度随着电压增大而增大并在PN结反向击穿前完全耗尽，形成类似于一个本征层的耗尽层，该耗尽层中电场近似均匀分布，使PN结的反向击穿电压达到最大，使得在实现相同耐压情况下可以将漂移区厚度变薄且掺杂浓度提高近一个数量级。 | ||
| 搜索关键词： | 超级 整流器 器件 | ||
【主权项】：
一种超级势垒整流器器件，其特征在于，包括：第一导电类型衬底；第一导电类型外延层，形成于所述第一导电类型衬底表面；第二导电类型立柱区，间隔形成于所述第一导电类型外延层中，相邻各第二导电类型立柱区之间隔离出多个第一导电类型立柱区，形成超结结构，所述第二导电类型立柱区与所述第一导电类型外延层的正表面及背表面均具有间距；超级势垒整流器器件的正面结构，形成于所述第一导电类型外延层正面区域。
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