[实用新型]一种高导热防破裂功率半导体模块芯片连接结构

摘要

一种高导热防破裂功率半导体模块芯片连接结构，包括散热底板、绝缘陶瓷片、电路底层、下复合钼片、晶圆芯片和上复合钼片，在散热底板上从下到上依次设有绝缘陶瓷片、电路底层、下复合钼片、晶圆芯片和上复合钼片，下复合钼片由框架钼片体和导热体组成，在框架钼片体上开有通孔，导热体填实在通孔中，导热体上下端面与框架钼片体上下端面平齐。由于在晶圆芯片与散热底板之间增设了快速散热路径，这样既能降低晶圆芯片的工作温度，又能防止晶圆芯片破裂，从而提高功率半导体器件的工作稳定性和可靠性。从而延长晶圆芯片的使用寿命。

主权项

一种高导热防破裂功率半导体模块芯片连接结构，其特征是：包括散热底板(1)、绝缘陶瓷片(2)、电路底层(3)、下复合钼片(7)、晶圆芯片(5)和上复合钼片(8)，在散热底板(1)上从下到上依次设有绝缘陶瓷片(2)、电路底层(3)、下复合钼片(7)、晶圆芯片(5)和上复合钼片(8)，下复合钼片(7)由框架钼片体(71)和导热体(72)组成，在框架钼片体(71)上开有通孔(73)，导热体(72)填实在通孔(73)中，导热体(72)上下端面与框架钼片体(71)上下端面平齐。