[实用新型]一种硅片镀膜用石墨框有效
| 申请号： | 201620582159.3 | 申请日： | 2016-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN205974661U | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 袁中存;党继东;俞亚东;张标 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/458 | 分类号： | C23C16/458;C23C16/34;H01L31/18 |
| 代理公司： | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙)32251 | 代理人： | 陆金星 |
| 地址： | 215129 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种硅片镀膜用石墨框，所述石墨框包括一石墨框本体，石墨框本体内设有复数个网格，每个网格对应一硅片设置；每个网格内对应于硅片上每条主栅线的位置均设置有石墨遮挡条；所述石墨遮挡条的宽度比主栅线宽度小0.1~0.5毫米；所述石墨遮挡条的厚度为0.3~1毫米。本实用新型在石墨框的网格内对应于主栅线的位置设置石墨遮挡条，镀膜时，石墨遮挡条将主栅线的位置遮挡，被石墨遮挡条遮挡的位置不会沉积氮化硅，从而减少了主栅线和硅片之间的接触电阻，提高了效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 镀膜 石墨 | ||
【主权项】：
一种硅片镀膜用石墨框，所述石墨框包括一石墨框本体，石墨框本体内设有复数个网格，每个网格对应一硅片设置；其特征在于：每个网格内对应于硅片上每条主栅线的位置均设置有石墨遮挡条。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
