[实用新型]一种下拉电阻开关电路有效
申请号: | 201620567954.5 | 申请日: | 2016-06-13 |
公开(公告)号: | CN205792498U | 公开(公告)日: | 2016-12-07 |
发明(设计)人: | 夏艺学;罗志勇 | 申请(专利权)人: | 成绎半导体技术(上海)有限公司 |
主分类号: | H03K17/687 | 分类号: | H03K17/687 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201000 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及一种下拉电阻开关电路,该下拉电阻开关电路包括A控制端,B控制端,CC端,电源端,下拉电阻,供电电阻,二极管,trim电路,第一MOS管,第二MOS管,第三MOS管。电路能够在CMOS工艺下实现下拉电阻开关的自导通和调修。使得USB的CC端的电压更加准确,能够快速地被识别。 | ||
搜索关键词: | 一种 下拉 电阻 开关电路 | ||
【主权项】:
一种下拉电阻开关电路,所述下拉电阻开关电路包括A控制端,B控制端,CC端,电源端,下拉电阻,供电电阻,二极管,trim电路,第一MOS管,第二MOS管,第三MOS管;所述trim电路一端接地,另一端与所述第三MOS管的源极连接,所述trim电路用于修调下拉电阻的电阻值;所述下拉电阻一端连接CC端,另一端与第三MOS管的漏极连接,所述供电电阻一端连接CC端,另一端与第三MOS管的栅极连接,所述第三MOS管的源极与串联的数个trim电阻的一端连接;所述第一MOS管源极、所述第二MOS管的漏极和所述第三MOS管栅极连接,所述第二MOS管的源极接地,所述第二MOS管的栅极与B控制端连接,所述第一MOS管的栅极与A控制端连接,所述第一MOS管的漏极与所述二极管的负极连接,所述二极管的正极与电源端连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成绎半导体技术(上海)有限公司,未经成绎半导体技术(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201620567954.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种单刀双掷开关
- 下一篇:一种NMOS管高电压高速驱动电路