[实用新型]用于制备半导体材料的套管式腔体结构

摘要

本专利公开了一种用于制备半导体材料的套管式腔体结构，套管式腔体采用多层管子相套而成的结构，内管形成的腔体为材料制备提供需要的工艺环境和条件。通过选择套管的层数，控制套管之间的间隙和各层套管的长度，并采用在套管开口处加塞等辅助手段，该工艺腔体能有效减小腔体内源材料的泄漏，改善材料制备工艺的稳定性和工艺状态的均匀性。通过对外层套管的设计，并适当选择工艺腔体各部分的温度分布，套管式工艺腔体还具有对泄漏出来的源材料进行收集的功能，减少源材料泄漏对材料制备系统的污染。本专利弥补了普通开管式材料制备工艺中源材料泄漏量大的不足，规避了闭管式材料制备工艺的高成本，特别适用于材料的批生产制备工艺。

主权项

一种用于制备半导体材料的套管式腔体结构，包括内层管(1)、次内层管(2)、次外层管(3)和外层管(4)，其特征在于：所述的套管式腔体中的内层管(1)、次内层管(2)、次外层管(3)和外层管(4)的一端为开口，另一端为闭口，里面一层管的开口端对着外面一层的闭口端，一层套一层，在多层套管的内部形成一个相对封闭的腔体,套管之间的缝隙在0.5mm～1.5mm之间；所述的内层管(1)的内部空间为半导体材料制备工艺的腔体，腔体的一端为材料制备区，放置被制备的材料(8)，另一端为源材料区，放置提供气相分压的源材料(9)，放置源材料(9)的管子(5)为一端封闭的管子；次外层管子(3)和外层管子(4)的长度大于内层管子的长度，在长出部分的一端放置供气体沉积的盘子(10)；次内层管(2)的开口端放置有内层管塞(6)，次外层管(3)的开口端放置有外层管塞(7)；各层管子长度方向的尺寸设计使得各层管子之间能相互顶住，并采用卡套将次外层管(3)与外层管(4)固定在一起，整个套管式工艺腔体形成固定的整体。