[实用新型]一种石墨烯光探测器有效
| 申请号： | 201620532181.7 | 申请日： | 2016-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN205645841U | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 朱锦锋;李嘉晔;刘海;柳清伙 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | H01L31/09 | 分类号： | H01L31/09;H01L31/028 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种石墨烯光探测器，涉及光探测器。提供一种可实现超宽带吸收的功能的基于超材料结构的石墨烯光探测器。为叠层结构，从上至下在垂直方向上依次为金属层－介质层－石墨烯层－介质层－石墨烯层－介质层－石墨烯层－介质层－石墨烯层－介质层－石墨烯层－介质层－石墨烯层－介质层－石墨烯层－介质层－石墨烯层－介质层－石墨烯层－介质层－石墨烯层－介质层－石墨烯层－介质层－石墨烯层结构；在水平方向上，石墨烯层和介质层均采用栅状条块，条块周期排列，在每层石墨烯层上加偏置电压，用于改变石墨烯的折射率，从而动态调控每石墨烯层的空间反射率，进而调控整个结构的空间吸收率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 探测器 | ||
【主权项】：
一种石墨烯光探测器，其特征在于为叠层结构，从上至下在垂直方向上依次为金属层－介质层－石墨烯层－介质层－石墨烯层－介质层－石墨烯层－介质层－石墨烯层－介质层－石墨烯层－介质层－石墨烯层－介质层－石墨烯层－介质层－石墨烯层－介质层－石墨烯层－介质层－石墨烯层－介质层－石墨烯层－介质层－石墨烯层结构；在水平方向上，石墨烯层和介质层均采用栅状条块，条块周期排列，在每层石墨烯层上加偏置电压，用于改变石墨烯的折射率，从而动态调控每石墨烯层的空间反射率，进而调控整个结构的空间吸收率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
