[实用新型]一种改善MOCVD中心片波长的石墨盘有效
| 申请号： | 201620529417.1 | 申请日： | 2016-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN205803635U | 公开（公告）日： | 2016-12-14 |
| 发明（设计）人： | 王明军;孙一军;陈思远;肖志;王辉;王国宏 | 申请（专利权）人： | 扬州中科半导体照明有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/12 | 分类号： | C30B25/12 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种改善MOCVD中心片波长的石墨盘，涉及MOCVD外延片生产技术领域，在圆形石墨盘上表面设有自中心向外周均匀分布的片槽，其特征在于：在所述石墨盘背面中心位置设置圆柱形凹槽，所述圆柱形凹槽的深度为10～6000微米，直径为10000～60000微米。本实用新型采用以上技术方案可增加石墨盘在此相应区域的背面到加热丝的距离，达到降低中心片位置的生长温度，从而改善因内外圈生长速率不一致造成的中心片位置波长偏短现象，提高波长命中率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 mocvd 中心 波长 石墨 | ||
【主权项】：
一种改善MOCVD中心片波长的石墨盘，所述石墨盘为圆形石墨盘，在石墨盘上表面设有自中心向外周均匀分布的片槽，其特征在于：在所述石墨盘背面中心位置设置圆柱形凹槽，所述圆柱形凹槽的深度为10～6000微米，直径为10000～60000微米。
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