[实用新型]宽频谱GaN基LED外延结构有效
| 申请号： | 201620524657.2 | 申请日： | 2016-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN205900577U | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 刘恒山;陈立人;冯猛 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种宽频谱GaN基LED外延结构，所述LED外延结构依次包括衬底及位于衬底上的n型GaN层、应力释放层、超晶格多量子阱发光层、p型AlGaN电子阻挡层和p型GaN层，所述超晶格多量子阱发光层的包括至少两层多量子阱发光层，不同的多量子阱发光层的半宽HW不同，每层多量子阱发光层由若干对InGaN层与GaN层依次堆叠组成。本实用新型中超晶格多量子阱发光层包括半宽HW不同的多层多量子阱发光层，可以达到宽频谱的效果，超晶格多量子阱发光层半宽HW可控制在40~60nm之间；还可根据实际应用调整频谱范围，在育林、养鱼等产业有着广泛的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 宽频 gan led 外延 结构 | ||
【主权项】：
一种宽频谱GaN基LED外延结构，所述LED外延结构依次包括衬底及位于衬底上的n型GaN层、应力释放层、超晶格多量子阱发光层、p型AlGaN电子阻挡层和p型GaN层，其特征在于，所述超晶格多量子阱发光层包括至少两层多量子阱发光层，不同的多量子阱发光层的半宽HW不同，每层多量子阱发光层由若干对InGaN层与GaN层依次堆叠组成。
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