[实用新型]VGF锗单晶生长炉支撑底座有效

专利信息
申请号: 201620518771.4 申请日: 2016-06-01
公开(公告)号: CN205688056U 公开(公告)日: 2016-11-16
发明(设计)人: 肖祥江;董汝昆;李武芳;祝永成;何永彬;高云浩;金之生;杨小瑞;权忠朝 申请(专利权)人: 云南中科鑫圆晶体材料有限公司;昆明云锗高新技术有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司
主分类号: C30B29/08 分类号: C30B29/08;C30B11/00
代理公司: 昆明祥和知识产权代理有限公司 53114 代理人: 张亦凡
地址: 650000 云南省昆明市高新*** 国省代码: 云南;53
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摘要: VGF锗单晶生长炉支撑底座,涉及一种底座,尤其是一种VGF锗单晶生长炉支撑底座。本实用新型的VGF锗单晶生长炉支撑底座,其特征在于该装置由横杆、底板、活动块、散热孔和细圆棒构成;底板通过内六角螺栓固定在两根横杆之间,活动块拼接在底板侧面,底板与活动块相对的一侧都具有一个半圆孔,两者通过外六角螺栓连接构成一个圆孔,底板中间设置散热孔,两根细圆棒通过U型卡槽固定在散热孔的两侧。本实用新型的VGF锗单晶生长炉支撑底座,在保证能平稳、牢固地支撑炉芯、石英管及炉套的情况下,也能固定好石英棒与测温热电偶,且安装方便,使用简单,稳固性好,散热性好,实用性高,适合用在不同尺寸的VGF炉中。
搜索关键词: vgf 锗单晶 生长 支撑 底座
【主权项】:
VGF锗单晶生长炉支撑底座,其特征在于该底座由横杆(1)、底板(2)、活动块(6)、散热孔(3)和细圆棒(4)构成;底板(2)通过内六角螺栓(9)固定在两根横杆(1)之间,活动块(6)拼接在底板(2)侧面,底板(2)与活动块(6)相对的一侧都具有一个半圆孔,两者通过外六角螺栓(8)连接构成一个圆孔(7),底板(2)中间设置散热孔(3),两根细圆棒(4)通过U型卡槽(5)固定在散热孔(3)的两侧。
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