[实用新型]微机电器件有效
| 申请号： | 201620518104.6 | 申请日： | 2016-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN206126836U | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | L·巴尔多;E·杜奇;F·F·维拉 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 王茂华,董典红 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及微机电器件。提供一种微机电器件，形成在半导体材料的单块本体(107)中，该单块本体容纳第一掩埋腔(106)、在第一掩埋腔之上的感应区域(112)以及在感应区域中延伸的第二掩埋腔(109)。去耦合沟槽(111)从单块本体(107)的第一面(107A)延伸远至第一掩埋腔(106)且在横向上环绕第二掩埋腔(109)。去耦合沟槽(111)将感应区域(112)与单块本体的外围部分(104；137)分离。根据本申请实施例的方案，可以提供具有两个腔的MEMS器件。 | ||
| 搜索关键词： | 微机 器件 | ||
【主权项】：
一种微机电器件，其特征在于，包括：半导体材料的单块本体(107；210)，具有第一面(107A；120A)和第二面(107B)；第一掩埋腔(106)，位于半导体材料的所述单块本体中；感应区域(112；135)，在所述单块本体中位于所述第一掩埋腔上方；第二腔(109；125)，掩埋在所述感应区域中；以及去耦合沟槽(111)，从所述单块本体(107；120)的所述第一面(107A；120A)延伸远至所述第一掩埋腔(106)，并且在横向上环绕第二掩埋腔(109；125)，所述去耦合沟槽(111)将所述感应区域(112；135)与所述单块本体的外围部分(104；137)分离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体股份有限公司，未经意法半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201620518104.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
