[实用新型]一种光伏硅片均匀刻蚀装置有效
申请号: | 201620458600.7 | 申请日: | 2016-05-13 |
公开(公告)号: | CN205752214U | 公开(公告)日: | 2016-11-30 |
发明(设计)人: | 刘仕记 | 申请(专利权)人: | 合肥晶为太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/67 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 230012 安徽省*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本实用新型公开一种光伏硅片均匀刻蚀装置,包括控制终端、进料口、刻蚀槽、硅片清洗喷头、碱洗槽、去PSG槽、分刀式吹干机和出料口,控制终端底侧设有进料口,进料口与刻蚀槽固定连接,刻蚀槽内安装有硅片清洗喷头,刻蚀槽一端与碱洗槽固定连接,碱洗槽一端与去PSG槽固定连接,去PSG槽一端与分刀式吹干机连接,分刀式吹干机一端设置有出料口,本实用新型适应性强,表面刻蚀均匀性好、对硅片损伤少,几乎适用于所有的金属、玻璃、塑料等材料,相对于传统的刻蚀系统,本实用新型通过控制终端收集数据,对收集到的数据进行分析,通过调整刻蚀均匀系统调整刻蚀均匀性,有效地提高工作效率,具有良好的经济效益和社会效益,适宜推广使用。 | ||
搜索关键词: | 一种 硅片 均匀 刻蚀 装置 | ||
【主权项】:
一种光伏硅片均匀刻蚀装置,包括控制终端(1)、进料口(2)、刻蚀槽(3)、硅片清洗喷头(4)、碱洗槽(5)、去PSG槽(6)、分刀式吹干机(7)和出料口(8),其特征在于,所述控制终端(1)底侧设有进料口(2),所述进料口(2)与刻蚀槽(3)固定连接,所述刻蚀槽(3)内安装有硅片清洗喷头(4),所述刻蚀槽(3)一端与碱洗槽(5)固定连接,所述碱洗槽(5)一端与去PSG槽(6)固定连接,所述去PSG槽(6)一端与分刀式吹干机(7)连接,所述分刀式吹干机(7)一端设置有出料口(8)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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