[实用新型]一种具有高共模抑制的差分滤波微带阵列天线有效
申请号: | 201620458593.0 | 申请日: | 2016-05-19 |
公开(公告)号: | CN205752533U | 公开(公告)日: | 2016-11-30 |
发明(设计)人: | 陈付昌;胡豪涛 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | H01Q1/38 | 分类号: | H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q1/50;H01Q21/00 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 罗观祥 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种具有高共模抑制的差分滤波微带阵列天线,该天线主要包括三层结构:馈电网络、含有缝隙结构的地以及含H型谐振器激励的四个贴片辐射单元。本实用新型的核心内容在于天线使用多层结构构造,前两阶谐振器分别置于第一层和第三层,其通过第二层的缝隙进行耦合,可以达到天然的高共模抑制效果,这种缝隙耦合还可以使第二阶谐振器的两端形成天然的180度相差,使第二阶谐振器拥有巴伦的功能,与此同时第二阶谐振器设计成H型,还可以实现一分四的功分功能。在没有额外级联滤波器、增加面积的情况下,本实用新型具有很好的滤波特性,达到了小型化的目的。总的来说本实用新型具有高选择性、高共模抑制性、高增益、尺寸小等特性。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 高共模 抑制 滤波 微带 阵列 天线 | ||
【主权项】:
一种具有高共模抑制的差分滤波微带阵列天线,其特征在于:包括两块上下叠置的板状电介质基板,分别为第一基板和第二基板,所述第一基板的上表面金属箔形成有第一微带结构,所述第二基板的下表面金属箔形成有第二微带结构,该第一基板和第二基板的接触面金属箔形成为地,且在地中挖槽而形成有缝隙结构;所述第一微带结构包括一个H型谐振器和四个贴片辐射单元,所述四个贴片辐射单元分别与H型谐振器的四个端处耦合连接;所述第二微带结构包括一个谐振器和四个馈电结构,该四个馈电结构分别为第一馈电结构、第二馈电结构、第三馈电结构、第四馈电结构,该谐振器工作于半波长模式,并与第三馈电结构和第四馈电结构平行放置,四个馈电结构与谐振器能量传输通过缝隙耦合的方式实现,该第三馈电结构与第一馈电结构垂直连接,该第四馈电结构与第二馈电结构垂直连接;上述缝隙结构位于地的中央,并与第二微带结构的谐振器垂直;所述第一微带结构的H型谐振器与第二微带结构的谐振器通过缝隙耦合,该H型谐振器的上两端与下两端处形成天然的180度相差,使H型谐振器不但有功分的功能还有巴伦的功能。
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