[实用新型]非重叠电路和高压驱动电路有效
| 申请号： | 201620447768.8 | 申请日： | 2016-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN205912034U | 公开（公告）日： | 2017-01-25 |
| 发明（设计）人： | 高舰艇;高存旗;刘杰 | 申请（专利权）人： | 深圳芯能半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0944 | 分类号： | H03K19/0944 |
| 代理公司： | 深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙)44325 | 代理人： | 吴立 |
| 地址： | 518172 广东省深圳市龙岗区龙城街道*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种非重叠电路和高压驱动电路。该非重叠电路，包括第一非重叠单元；所述第一非重叠单元包括串联的第一PMOS管、第一电阻和第一NMOS管；所述第一PMOS管的栅极接第一信号输入端，源极接高电位供应端，漏极连接在所述第一电阻和第一信号输出端之间；所述第一NMOS管的栅极接第二信号输入端，源极接低电位供应端；漏极连接在所述第一电阻和第二信号输出端之间。该高压驱动电路包括反相电路、与反相电路相连的非重叠电路和与非重叠电路相连的驱动桥电路。该非重叠电路结构简单，所采用的元器件较少，有利于节省成本和占用面积。该高压驱动电路可有效避免驱动桥电路中的漏电流过大，而影响驱动桥电路的正常工作。 | ||
| 搜索关键词： | 重叠 电路 高压 驱动 | ||
【主权项】：
一种非重叠电路，连接在高电位供应端(VB)和低电位供应端(VS)之间，其特征在于，包括第一非重叠单元(21)；所述第一非重叠单元(21)包括串联的第一PMOS管(P2)、第一电阻(R1)和第一NMOS管(N2)；所述第一PMOS管(P2)的栅极接第一信号输入端(310)，源极接高电位供应端，漏极连接在所述第一电阻(R1)和第一信号输出端(330)之间；所述第一NMOS管(N2)的栅极接第二信号输入端(320)，源极接低电位供应端(VS)；漏极连接在所述第一电阻(R1)和第二信号输出端(340)之间。
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