[实用新型]集成电路有效
| 申请号： | 201620444286.7 | 申请日： | 2016-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN205845961U | 公开（公告）日： | 2016-12-28 |
| 发明（设计）人： | J·希门尼斯 | 申请（专利权）人： | 意法半导体（克洛尔2）公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/06;H01L27/06 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 王茂华;张昊 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本公开涉及集成电路。根据本实用新型的用于制造BiCMOS类型的集成电路(CI)的方法包括制造至少一个垂直结场效应晶体管(T1)，其包括形成具有通过光刻控制的有源表面(D)的临界尺寸的沟道区域(ZC)。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 | ||
【主权项】：
一种集成电路，其特征在于，包括至少一个垂直结场效应晶体管(T1)，包括第一导电类型的半导体阱(21)、漏极区域、接触阱(31)、栅极区域(46)和源极区域(81)，其中所述漏极区域包括所述第一导电类型的比所述阱(21)更重掺杂的隐埋层(11)，所述接触阱为所述第一导电类型且从所述阱(21)的表面向下延伸到所述隐埋层(11)，所述栅极区域包括约束沟道区域(ZC)的填充有第二导电类型的半导体材料的两个沟槽，并且所述源极区域为所述第一导电类型且位于所述沟道区域(ZC)的顶部上。
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