[实用新型]一种蜂巢结构多晶硅片有效
申请号: | 201620437580.5 | 申请日: | 2016-05-12 |
公开(公告)号: | CN205920978U | 公开(公告)日: | 2017-02-01 |
发明(设计)人: | 陈德榜 | 申请(专利权)人: | 温州海旭科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 325000 浙江省温州市经*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种蜂巢结构多晶硅片,包括单元结构,所述单元结构设有正六角N型多晶硅体,所述正六角N型多晶硅体上部设有正六角斜凹槽,所述正六角斜凹槽设有环形凹槽底,所述环形凹槽底的中部设有贯穿于正六角N型多晶硅体的圆柱形P型多晶硅体,所述正六角N型多晶硅体与圆柱形P型多晶硅体的连接部分形成PN结,所述正六角N型多晶硅体与圆柱形P型多晶硅体的上表面均设有吸光层,所述正六角N型多晶硅体的外侧设有多晶硅保护膜,所述正六角N型多晶硅体的底部设有第一电极,所述圆柱形P型多晶硅体底部设有第二电极。该能增加单位面积内PN结的面积,可以更快地将光子转化成的电子集中起来,增加光电转化率。 | ||
搜索关键词: | 一种 蜂巢 结构 多晶 硅片 | ||
【主权项】:
一种蜂巢结构多晶硅片,包括单元结构(1),其特征在于:所述单元结构(1)设有正六角N型多晶硅体(2),所述正六角N型多晶硅体(2)上部设有正六角斜凹槽(9),所述正六角斜凹槽(9)设有环形凹槽底(4),所述环形凹槽底(4)的中部设有贯穿于正六角N型多晶硅体(2)的圆柱形P型多晶硅体(3),所述正六角N型多晶硅体(2)与圆柱形P型多晶硅体(3)的连接部分形成PN结(5),所述正六角N型多晶硅体(2)与圆柱形P型多晶硅体(3)的上表面均设有吸光层(6),所述正六角N型多晶硅体(2)的外侧设有多晶硅保护膜(10),所述正六角N型多晶硅体(2)的底部设有第一电极(7),所述圆柱形P型多晶硅体(3)底部设有第二电极(8)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于温州海旭科技有限公司,未经温州海旭科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201620437580.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种具有新型发射极的硅异质结太阳能电池及光伏组件
- 下一篇:太阳能发电系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的