[实用新型]等离子体增强化学气相沉积装置有效
申请号: | 201620397246.1 | 申请日: | 2016-04-29 |
公开(公告)号: | CN205556778U | 公开(公告)日: | 2016-09-07 |
发明(设计)人: | 苏同上;王东方;杜生平;袁广才 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/513 | 分类号: | C23C16/513 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 李相雨 |
地址: | 230011 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种等离子体增强化学气相沉积装置,该等离子体增强化学气相沉积装置包括反应腔室,所述反应腔室内设置有第一磁镜单元和第二磁镜单元,所述第一磁镜单元和所述第二磁镜单元从不同方向对所述反应腔室内的等离子体进行约束。本实用新型提供的等离子体增强化学气相沉积装置,通过在反应腔室内设置第一磁镜单元和第二磁镜单元从而形成双磁镜系统,利用该双磁镜系统可以产生不均匀磁力线,使得等离子体约束在双磁镜内部,可以从不同方向同时对等离子体进行约束,可以显著的提高等离子体密度,达到增加薄膜的沉积速率的目的,同时降低等离子体对薄膜的损伤,减小等离子体对反应腔室以及其内部电极造成的污染。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 增强 化学 沉积 装置 | ||
【主权项】:
一种等离子体增强化学气相沉积装置,其特征在于,包括反应腔室,所述反应腔室内设置有第一磁镜单元和第二磁镜单元,所述第一磁镜单元和所述第二磁镜单元从不同方向对所述反应腔室内的等离子体进行约束。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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