[实用新型]一种太赫兹量子级联激光器增益谱测量器件有效
| 申请号： | 201620346187.5 | 申请日： | 2016-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN205583368U | 公开（公告）日： | 2016-09-14 |
| 发明（设计）人： | 徐天鸿;曹俊诚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01S5/22;H01S5/06;H01S5/065 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种太赫兹量子级联激光器增益谱测量器件，所述器件包括：半绝缘GaAs衬底；位于该衬底上表面的GaAs缓冲层；位于该缓冲层表面的n型重掺杂下接触层；位于该下接触层表面的有源区；位于有源区表面的n型重掺杂上接触层；位于n型重掺杂上接触层表面且各自分隔的第一、第二、第三上电极金属层，第一上电极金属层与第二上电极金属层之间设有凹至GaAs缓冲层的深隔离槽，第三上电极金属层为退火后可形成高波导损耗的上电极金属层；以及位于n型重掺杂下接触层表面及有源区两侧的下电极金属层。通过本实用新型提供的一种太赫兹量子级联激光器增益谱测量器件，解决了现有技术中无法测得THz QCL在可工作电流密度范围内完整的增益谱变化情况的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 赫兹 量子 级联 激光器 增益 测量 器件 | ||
【主权项】：
一种太赫兹量子级联激光器增益谱测量器件，其特征在于，所述增益谱测量器件包括：半绝缘GaAs衬底；位于所述半绝缘GaAs衬底上表面的GaAs缓冲层；位于所述GaAs缓冲层表面的n型重掺杂下接触层；位于所述n型重掺杂下接触层表面的有源区；位于所述有源区表面的n型重掺杂上接触层；位于所述n型重掺杂上接触层表面且各自分隔的第一、第二、第三上电极金属层，所述第一上电极金属层与所述第二上电极金属层之间设有凹至GaAs缓冲层的深隔离槽，所述第三上电极金属层为退火后可形成高波导损耗的上电极金属层；以及位于所述n型重掺杂下接触层表面及有源区两侧的下电极金属层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所，未经中国科学院上海微系统与信息技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201620346187.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种接线端子保护装置
- 下一篇：高稳定性的DC线焊接装置及DC自动焊接机
