[实用新型]一种超高速模拟单向可控硅有效
| 申请号： | 201620331145.4 | 申请日： | 2016-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN205647469U | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 谢鸿龄;牛林;刘祥明 | 申请（专利权）人： | 红河学院 |
| 主分类号： | H03K17/04 | 分类号： | H03K17/04 |
| 代理公司： | 红河州专利事务所 53102 | 代理人： | 朱跃平 |
| 地址： | 661100 云南省红*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本实用新型是一种超高速模拟单可控硅，它由三极管V1‑V2、电阻R1‑R4和二极管VD1‑VD5组成，电阻R1下端与三极管V2发射极相连构成模拟可控硅的阴极K；电阻R2上端与三极管V1发射极相连构成模拟可控硅的阳极A；三极管V1的基极同时接电阻R2下端和二极管VD1的阳极；二极管VD1阴极接二极管VD2阳极；三极管V1集电极同时接二极管VD4阳极和二极管VD3阳极；二极管VD2阴极与二极管VD3阴极同时接三极管V2集电极；二极管VD4阴极与二极管VD5阳极同时接电阻R1上端；二极管VD5阴极与电阻R3左端相连；电阻R3右端与电阻R4右端同时接三极管V2基极；电阻R4左端构成模拟可控硅的触发极G，作为高频脉冲信号输入端。本实用新型代替可控硅开关速度快两个数量级。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超高速 模拟 单向 可控硅 | ||
【主权项】：
一种超高速模拟单向可控硅，它由两个三极管V1和V2、四个电阻R1‑R4，以及五个二极管VD1‑VD5组成，其特征在于各器件间的连接关系是：电阻R1的下端与三极管V2的发射极相连构成模拟可控硅的阴极K；电阻R2的上端与三极管V1的发射极相连构成模拟可控硅的阳极A；三极管V1的基极同时接电阻R2的下端和二极管VD1的阳极；二极管VD1的阴极接二极管VD2的阳极；三极管V1的集电极同时接二极管VD4的阳极和二极管VD3的阳极；二极管VD2的阴极与二极管VD3的阴极同时接于三极管V2的集电极；二极管VD4的阴极与二极管VD5的阳极同时接于电阻R1的上端；二极管VD5的阴极与电阻R3的左端相连；电阻R3的右端与电阻R4的右端同时接于三极管V2的基极；电阻R4的左端构成模拟可控硅的触发极G，作为高频脉冲信号的输入端。
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