[实用新型]一种微波超宽带单片集成阻抗变换器有效
| 申请号： | 201620321701.X | 申请日： | 2016-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN205488448U | 公开（公告）日： | 2016-08-17 |
| 发明（设计）人： | 石伟屹 | 申请（专利权）人： | 成都仙童科技有限公司 |
| 主分类号： | H01P5/08 | 分类号： | H01P5/08 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 郭受刚 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种微波超宽带单片集成阻抗变换器包括：半导体衬底、下层传输线、介质、上层传输线、金属化介质过孔，金属化衬底过孔，其中，所述半导体衬底位于底层，所述下层传输线与所述半导体衬底的上表面连接，所述上层传输线位于所述下层传输线的上方，所述介质位于所述下层传输线和所述上层传输线之间，所述下层传输线和所述上层传输线之间设有所述金属化介质过孔，所述下层传输线与所述半导体衬底之间和所述上层传输线与所述半导体衬底之间均设有所述金属化衬底过孔，实现了阻抗变换器体积小、超宽带特性、提高技术指标一致性的技术效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微波 宽带 单片 集成 阻抗 变换器 | ||
【主权项】：
一种微波超宽带单片集成阻抗变换器，其特征在于，所述微波超宽带单片集成阻抗变换器包括：半导体衬底、下层传输线、介质、上层传输线、金属化介质过孔，金属化衬底过孔，其中，所述半导体衬底位于底层，所述下层传输线与所述半导体衬底的上表面连接，所述上层传输线位于所述下层传输线的上方，所述介质位于所述下层传输线和所述上层传输线之间，所述下层传输线和所述上层传输线之间设有所述金属化介质过孔，所述下层传输线与所述半导体衬底之间和所述上层传输线与所述半导体衬底之间均设有所述金属化衬底过孔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都仙童科技有限公司，未经成都仙童科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201620321701.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种预制拼装地道
- 下一篇：一种用于水电站地下厂房混凝土快速入仓的装置和方法
