[实用新型]一种低功耗的电源供电系统有效
申请号: | 201620197828.5 | 申请日: | 2016-03-15 |
公开(公告)号: | CN205490150U | 公开(公告)日: | 2016-08-17 |
发明(设计)人: | 成俊 | 申请(专利权)人: | 西安紫光国芯半导体有限公司 |
主分类号: | H02M3/158 | 分类号: | H02M3/158 |
代理公司: | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人: | 张倩 |
地址: | 710055 陕西省西安*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及一种低功耗的电源供电系统,包括带隙基准生成电路、参考电压缓冲器、比较器一、比较器二、时序控制电路、PMOS功率管和NMOS功率管,带隙基准生成电路产生基准电压,基准电压保持在电容C1上面,基准电压作为参考电压缓冲器的输入,参考电压缓冲器生成参考电压vref_l和参考电压,参考电压vref_l保持在电容C2a上面,参考电压vref_h保持在电容C2b上面,参考电压vref_l、vref_h分别作为比较器一、二的负向输入端,比较器一、二的输出控制功率管,功率管的输出作为比较器一和比较器二的正向输入。本实用新型解决了现有的降低电源供电系统功耗的方式存在减小功耗有限的技术问题,本实用新型利用供电系统断续工作和电容保持的方法降低了电源供电系统的功耗。 | ||
搜索关键词: | 一种 功耗 电源 供电系统 | ||
【主权项】:
一种低功耗的电源供电系统,其特征在于:包括带隙基准生成电路、参考电压缓冲器、比较器一、比较器二、时序控制电路、PMOS功率管和NMOS功率管,带隙基准生成电路产生基准电压vbgr,基准电压vbgr保持在电容C1上面,基准电压vbgr作为参考电压缓冲器的输入,参考电压缓冲器生成参考电压vref_l和参考电压vref_h,参考电压vref_l保持在电容C2a上面,参考电压vref_h保持在电容C2b上面,参考电压vref_l作为比较器一的负向输入端,参考电压vref_h作为比较器二的负向输入端,比较器一的输出zgate_p控制PMOS功率管,比较器二的输出zgate_n控制NMOS功率管,PMOS功率管和NMOS功率管的输出电压vout作为比较器一和比较器二的正向输入,PMOS功率管和NMOS功率管的输出电压vout保持在负载电容CL上面;带隙基准生成电路和电容C1之间设置有开关S1,参考电压缓冲器与电容C2a之间设置有开关S2,参考电压缓冲器与电容C2b之间设置有开关S3,时序控制电路输入端输入来自外部的时钟信号clk和外部使能信号en_deep_pd,输出开关使能信号s1、开关使能信号s2、使能信号en1、使能信号en2和使能信号en3;开关使能信号s1控制开关S1,开关使能信号s2控制开关S2和开关S3,使能信号en1控制带隙基准生成电路,使能信号en2控制参考电压缓冲器,使能信号en3控制比较器一和比较器二。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安紫光国芯半导体有限公司,未经西安紫光国芯半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201620197828.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。