[实用新型]直流支撑电容器用阶梯式高方阻金属化膜有效

专利信息
申请号: 201620168718.6 申请日: 2016-03-07
公开(公告)号: CN205428701U 公开(公告)日: 2016-08-03
发明(设计)人: 陈家骅 申请(专利权)人: 浙江台州特总电容器有限公司
主分类号: H01G4/015 分类号: H01G4/015
代理公司: 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 代理人: 王官明
地址: 318020 浙江省台*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 直流支撑电容器用阶梯式高方阻金属化膜,包括塑料薄膜和金属镀层构成的金属化膜,所述的金属镀层为阶梯式方阻镀层,包括第一方阻镀层、第二方阻镀层和第三方阻镀层,第一方阻镀层的高度H1为90nm,第二方阻镀层的高度H2为30nm,第三方阻镀层的高度H3为3—4nm。本方案将金属镀层设计成阶梯式方阻镀层,包括第一方阻镀层、第二方阻镀层和第三方阻镀层,由于产品对电流要求不高,在对称的两块金属化膜卷绕出来的电容器元件上面,只要出现薄弱点,就能够将高方阻部分的金属镀层层迅速气化而蒸发,薄膜自愈。由于薄弱点的面积甚小,对产品的电容量损失几乎为零,所以这种阶梯式高方阻金属化膜结构的材料特别适合直流支撑电容器的广泛使用。
搜索关键词: 直流 支撑 电容 器用 阶梯 式高方阻 金属化
【主权项】:
直流支撑电容器用阶梯式高方阻金属化膜,包括塑料薄膜(1)和金属镀层(2)构成的金属化膜(3),其特征在于所述的金属镀层(2)为阶梯式方阻镀层,包括第一方阻镀层(4)、第二方阻镀层(5)和第三方阻镀层(6),第一方阻镀层(4)的高度H1为90nm,第二方阻镀层(5)的高度H2为30nm,第三方阻镀层(6)的高度H3为3—4nm。
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