[实用新型]一种改进的晶元掩膜层沉积用喷气盘

摘要

本实用新型属于晶元生产设备领域，具体涉及一种改进的晶元掩膜层沉积用喷气盘，所述喷气盘的工作面板包括中部圆形区域和边缘的环形区域，所述圆形区域上均匀密布有若干大喷气孔，所述环形区域上均匀密布有若干小喷气孔，所述环形区域的面积为圆形区域面积的45％‑60％，所述小喷气孔的孔径为所述大喷气孔孔径的20％‑40％。本实用新型的有益效果为，通过缩小喷气盘边缘一定区域上的喷气孔的孔径得到改进的喷气盘，使用该改进的喷气盘制得的晶元掩膜层的边缘区域比未改进之前喷气盘制得的更薄，然后按照现有技术进行刻蚀制程，晶元边缘刻蚀之后的关键尺寸接近晶元中心的关键尺寸，改善了均匀度，最终产品的良率和可靠性得到提高。

主权项

一种改进的晶元掩膜层沉积用喷气盘，其特征在于，所述喷气盘的工作面板包括中部的圆形区域(1)和边缘的环形区域(3)，所述圆形区域(1)上均匀密布有若干大喷气孔(2)，所述环形区域(3)上均匀密布有若干小喷气孔(4)，所述环形区域(3)的面积为圆形区域(1)面积的45％‑60％，所述小喷气孔(4)的孔径为所述大喷气孔(2)孔径的20％‑40％。