[实用新型]一种MEMS麦克风芯片及MEMS麦克风有效
申请号: | 201620072017.2 | 申请日: | 2016-01-25 |
公开(公告)号: | CN205510403U | 公开(公告)日: | 2016-08-24 |
发明(设计)人: | 蔡孟锦;邱冠勋 | 申请(专利权)人: | 歌尔声学股份有限公司 |
主分类号: | H04R19/04 | 分类号: | H04R19/04 |
代理公司: | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人: | 王昭智;马佑平 |
地址: | 261031 山东省*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种MEMS麦克风芯片及MEMS麦克风,振膜与第一背极板构成的第一电容结构、振膜与第二背极板构成的第二电容结构形成了差分电容结构;在所述第一背极板与振膜之间设置有用于限制振膜朝向第一背极板方向变形的第一限位部;在所述第二背极板与振膜之间设置有用于限制振膜朝向第二背极板方向变形的第二限位部。本实用新型的MEMS麦克风芯片,通过振膜、第一背极板、第二背极板构成了差分电容结构,通过位于第一背极板与振膜之间的第一限位部可以防止振膜与第一背极板发生粘连或短路的问题,通过位于第二背极板与振膜之间的第二限位部可以防止振膜与第二背极板发生粘连或短路的问题,在保证MEMS麦克风芯片声电转换的同时,提高了MEMS麦克风的性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 mems 麦克风 芯片 | ||
【主权项】:
一种MEMS麦克风芯片,其特征在于:包括具有背腔(1a)的衬底(1),以及设置在衬底(1)上的第一背极板、振膜(6)、第二背极板,其中所述振膜(6)与第一背极板构成的第一电容结构、所述振膜(6)与第二背极板构成的第二电容结构形成了差分电容结构;所述第一背极板包括第一非导电层(5),以及设置在第一非导电层(5)邻近振膜(6)一侧的第一导电层(9);在所述第一背极板与振膜(6)之间设置有用于限制振膜(6)朝向第一背极板方向变形的第一限位部(6a);所述第二背极板包括第二非导电层(7),以及设置在第二非导电层(7)邻近振膜(6)一侧的第二导电层(8);在所述第二背极板与振膜(6)之间设置有用于限制振膜(6)朝向第二背极板方向变形的第二限位部(7a)。
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