[实用新型]一种光斑稳定的大功率半导体激光器有效
申请号: | 201620071174.1 | 申请日: | 2016-01-25 |
公开(公告)号: | CN205543688U | 公开(公告)日: | 2016-08-31 |
发明(设计)人: | 朱振;张新;徐现刚 | 申请(专利权)人: | 山东华光光电子股份有限公司 |
主分类号: | H01S5/22 | 分类号: | H01S5/22;H01S5/323 |
代理公司: | 济南日新专利代理事务所 37224 | 代理人: | 王书刚 |
地址: | 250101 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 一种光斑稳定的大功率半导体激光器,自下至上依次包括衬底、下包层、有源区、上包层和接触层;上包层与接触层上设置有脊型结构,脊型结构的两侧形成沟槽,沟槽深度小于上包层与接触层的总厚度;接触层上表面除了脊型以外的部分以及沟槽的表面上包覆有介质膜,介质膜及脊型结构上包覆第一金属电极层,衬底的底面设置有第二金属电极层;第一金属电极层通过焊料烧结在热沉上,焊料与沟槽的底部设置有空气隔离层。上述激光器的上包层较厚,制成脊型结构,工作时有源区产生的热量侧向散发路径被空气隔离层阻断,热量主要通过脊型接触层垂直散发,因而脊型中间部分及靠近沟槽部分的有源区的折射率梯度不会随产热增加而继续变大,近场光斑也更加稳定。 | ||
搜索关键词: | 一种 光斑 稳定 大功率 半导体激光器 | ||
【主权项】:
一种光斑稳定的大功率半导体激光器,自下至上依次包括衬底、下包层、有源区、上包层和接触层;其特征是:上包层与接触层上设置有脊型结构,脊型结构的两侧形成沟槽,沟槽深度小于上包层与接触层的总厚度;接触层上表面除了脊型以外的部分以及沟槽的表面上包覆有介质膜,介质膜及脊型结构上包覆第一金属电极层,衬底的底面设置有第二金属电极层;第一金属电极层通过焊料烧结在热沉上,焊料与沟槽的底部设置有空气隔离层。
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