[实用新型]一种自热效应检测结构有效
| 申请号： | 201620068011.8 | 申请日： | 2016-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN205376517U | 公开（公告）日： | 2016-07-06 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 100176 北京市大兴*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种自热效应检测结构，所述自热效应检测结构包括一半导体基底、至少一个形成于所述半导体基底上的鳍结构、位于所述鳍结构表面的氧化层、横跨所述鳍结构的栅极、至少一个与所述栅极平行且横跨所述鳍结构的伪栅极、形成于所述鳍结构下方并位于所述栅极两侧的源区和漏区、在所述栅极和伪栅极上形成的测试阵列。通过设计一个测试阵列，在监控FinFET自热效应的同时，技术人员还可以实时监测测试阵列中的不同节点间的阻值，得到不同时间、不同位置的热阻分布，从而方便技术人员对较高热阻的位置采取相应缓解措施；而且，技术人员可以更容易地对不同时间和位置上热量的产生以及扩散进行调整。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 热效应 检测 结构 | ||
【主权项】：
一种自热效应检测结构，其特征在于：所述自热效应检测结构包括一半导体基底、至少一个形成于所述半导体基底上的鳍结构、位于所述鳍结构表面的氧化层、横跨所述鳍结构的栅极、至少一个与所述栅极平行且横跨所述鳍结构的伪栅极、形成于所述鳍结构下方并位于所述栅极两侧的源区和漏区、在所述栅极和伪栅极上形成的测试阵列。
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