[实用新型]一种硅通孔的电迁移测试结构有效
| 申请号： | 201620067522.8 | 申请日： | 2016-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN205376516U | 公开（公告）日： | 2016-07-06 |
| 发明（设计）人： | 陈芳 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 100176 北京市大兴*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种硅通孔的电迁移测试结构，包括：通过第一底层金属连接的第一硅通孔及第二硅通孔，所述第一硅通孔及所述第二硅通孔的上端分别连接第一测试端及第二测试端，所述第一硅通孔、所述第二硅通孔及所述第一底层金属的周围设置一温度传感器，以对所述第一硅通孔、所述第二硅通孔及所述第一底层金属通电后的温度进行检测。本实用新型的硅通孔的电迁移测试结构在原有测试结构的基础上增加温度传感器，以此感知大电流产生的焦耳热，并据此调节电迁移测试的温度环境，进而避免焦耳热效应对测试结构的影响，提高硅通孔电迁移测试的准确性和半导体产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅通孔 迁移 测试 结构 | ||
【主权项】：
一种硅通孔的电迁移测试结构，其特征在于，所述硅通孔的电迁移测试结构至少包括：通过第一底层金属连接的第一硅通孔及第二硅通孔，所述第一硅通孔及所述第二硅通孔的上端分别连接第一测试端及第二测试端，所述第一硅通孔、所述第二硅通孔及所述第一底层金属的周围设置一温度传感器，以对所述第一硅通孔、所述第二硅通孔及所述第一底层金属通电后的温度进行检测。
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