[实用新型]砷化镓光敏传感器

摘要

本实用新型具体涉及光敏传感器。砷化镓光敏传感器，包括光敏传感器主体，光敏传感器主体包括至少一个光敏芯片，光敏芯片外设有一封装体，光敏芯片包括基底，基底是由砷化镓制成的基底；光敏芯片包括一光敏面，光敏面呈一外凸型曲面。本实用新型通过优化传统的光敏传感器光敏芯片的基底，将传统由硅制成的基底改良为由砷化镓制成的基底，提高了光敏传感器的性能的性能，信号传输性能优异。本实用新型通过优化传统光敏面的结构，采用外凸型曲面，提高了光敏传感器的监测范围。

主权项

砷化镓光敏传感器，包括光敏传感器主体，所述光敏传感器主体包括至少一个光敏芯片，所述光敏芯片外设有一封装体，所述光敏芯片包括基底，其特征在于，所述基底是由砷化镓制成的基底；所述光敏芯片包括一光敏面，所述光敏面呈一外凸型曲面；所述光敏面的横截面呈一圆心角为5°～10°的圆弧，所述圆弧的半径为1cm～2cm。