[实用新型]一种薄硅层SOI基横向绝缘栅双极型晶体管

摘要

本实用新型公开了一种薄硅层SOI基横向绝缘栅双极型晶体管，所述横向绝缘栅双极型晶体管以薄硅层SOI基作为衬底，采用浅槽隔离和阳极浮空缓冲区的设计结构。这种新型薄硅层SOI基横向绝缘栅双极型晶体管在保证器件较小的关断时间的前提下，可以消除器件导通时的负阻效应，提高器件的工作稳定性；此外，该器件采用的浅槽隔离和阳极浮空缓冲区的设计结构可以采用集成电路制造工艺的浅槽隔离工艺实现，并且这种设计还可以减小器件的横向尺寸，提高电流导通能力。

主权项

一种薄硅层SOI基横向绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：包括第二导电类型衬底层(1)、绝缘介质层(2)、第二导电类型阴极阱区(3)、重掺杂第一导电类型阴极区(4)、重掺杂第二导电类型阴极区(5)、阴极接触区(6)、栅极接触区(7)、栅极介质层(8)、第一导电类型漂移区(9)、第一导电类型阳极缓冲区(10)、重掺杂第二导电类型阳极区(11)、阳极接触区(12)、重掺杂第一导电类型阳极区(13)、浅槽隔离区(14)、第二导电类型浮空区(15)和第一导电类型阳极阱区(16)；所述绝缘介质层(2)覆盖于第二导电类型衬底层(1)之上；所述第二导电类型阴极阱区(3)、第一导电类型漂移区(9)、第一导电类型阳极缓冲区(10)和第一导电类型阳极阱区(16)，均覆盖于绝缘介质层(2)之上；所述重掺杂第一导电类型阳极区(13)和浅槽隔离区(14)覆盖于第一导电类型阳极阱区(16)之上；所述第二导电类型浮空区(15)浮空于第一导电类型阳极阱区(16)内部；所述重掺杂第二导电类型阳极区(11)位于第一导电类型阳极缓冲区(10)内部；所述阳极接触区(12)分别覆盖于第二导电类型阳极区(11)之上的部分表面和重掺杂第一导电类型阳极区(13)之上的部分表面；所述重掺杂第一导电类型阴极区(4)和重掺杂第二导电类型阴极区(5)位于第二导电类型阴极阱区(3)的内部；所述阴极接触区(6)覆盖于重掺杂第二导电类型阴极区(5)之上，所述阴极接触区(6)还覆盖于重掺杂第一导电类型阴极区(4)之上的部分表面；所述栅极介质层(8)覆盖于重掺杂第一导电类型阴极区(4)之上，所述栅极介质层(8)还覆盖于重掺杂第一导电类型阴极区(4)和第一导电类型漂移区(9)之上的部分表面；所述栅极接触区(7)覆盖于栅极介质层(8)之上。