[实用新型]双向放电管芯片

摘要

本实用新型提供一种双向放电管芯片，双向放电管芯片的结构为N⁺-P⁺-N^--N-P⁺⁺-P⁺型；双向放电管芯片的平面结构依次为扩散N⁺区、扩散P⁺区、注入N^-区、扩散P⁺⁺区、金属区、氧化隔离区、钝化玻璃层及芯片划道区；双向放电管芯片的剖面截层结构依次为扩散N⁺区、扩散P⁺区、注入N^-区、衬底N区、扩散P⁺⁺区、金属区、氧化隔离区、钝化玻璃层及芯片划道区。本实用新型具有以下优点：采用固态扩散源(氮化硼片)的深结扩散形成P⁺⁺结，使结深平坦性、均一性好，抗浪涌更力强；同时能够降低基区的宽度，使开启电压降低，响应速度快，功耗小；P⁺⁺结还可以降低体电阻，加大放电管的承载功率。

主权项

一种双向放电管芯片，其特征在于，所述双向放电管芯片的结构为N⁺‑P⁺‑N^‑‑N‑P⁺⁺‑P⁺型；所述双向放电管芯片的平面结构依次为扩散N⁺区、扩散P⁺区、注入N^‑区、扩散P⁺⁺区、金属区、氧化隔离区、钝化玻璃层及芯片划道区；所述双向放电管芯片的剖面截层结构依次为所述扩散N⁺区、所述扩散P⁺区、所述注入N^‑区、衬底N区、所述扩散P⁺⁺区、所述金属区、所述氧化隔离区、所述钝化玻璃层及所述芯片划道区。