[实用新型]背接触式太阳能电池有效
申请号: | 201620021387.3 | 申请日: | 2016-01-11 |
公开(公告)号: | CN205319169U | 公开(公告)日: | 2016-06-15 |
发明(设计)人: | 张为国;刘超;张松;刘成法;陈寒;季海晨;夏世伟 | 申请(专利权)人: | 上海大族新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04;H01L31/0352;H01L31/0224 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 何冲 |
地址: | 201615 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种背接触式太阳能电池。其包括N型硅片主体,N型硅片主体具有相对的受光面和背光面,背光面上设置有第一发射区和P+发射区,第一发射区为N+发射区和N++发射区,第一发射区与P+发射区交替排布;N++发射区远离N型硅片主体的一侧设置有N型金属,N型金属的另一侧设置有N型区焊接电极,N型金属分别与N++发射区、N型区焊接电极为点接触;P+发射区远离N型硅片主体的一侧设置有P型金属,P型金属上设置有P型区焊接电极;P型金属远离N型硅片主体的一侧端部设置有绝缘介质,绝缘介质隔离P+发射区与N型区焊接电极。由于N型金属分别与N++发射区、N型区焊接电极为点接触,能够降低N型金属浆料的消耗,从而降低成本。 | ||
搜索关键词: | 接触 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种背接触式太阳能电池,包括N型硅片主体,所述N型硅片主体具有相对的受光面和背光面,其特征在于,所述背光面上设置有第一发射区和P+发射区,所述第一发射区为N+发射区和N++发射区,所述第一发射区与所述P+发射区交替排布;所述N++发射区远离所述N型硅片主体的一侧设置有N型金属,所述N型金属的另一侧设置有N型区焊接电极,所述N型金属分别与所述N++发射区、所述N型区焊接电极为点接触;所述P+发射区远离所述N型硅片主体的一侧设置有P型金属,所述P型金属上设置有P型区焊接电极;所述P型金属远离所述N型硅片主体的一侧端部设置有绝缘介质,所述绝缘介质隔离所述P+发射区与所述N型区焊接电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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