[发明专利]用于优化功耗的CMOS处理中的动态反向偏置有效
| 申请号： | 201611270932.3 | 申请日： | 2016-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN107071679B | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | M·温特尔 | 申请（专利权）人： | GN瑞声达A/S |
| 主分类号： | H04R29/00 | 分类号： | H04R29/00 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 顾小曼 |
| 地址： | 丹麦巴*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明设计了一种包括第一多个N型半导体和第二多个P型半导体的听力设备的功率控制电路，包括：开关电容器电源，为听力设备提供电源电压；衬底偏置控制电路，向第一多个N型半导体的体端提供第一衬底偏置控制电压并向第二多个P型半导体的体端提供第二衬底偏置控制电压；期望性能基准电路；性能监测器电路，监测第一多个N型半导体和第二多个P型半导体的一个或多个性能参数，并向衬底偏置控制电路的第一输入提供一个或多个性能参数的性能参数测量。期望性能基准电路向衬底偏置控制电路的第二输入提供性能基准，并且衬底偏置控制电路通过分别连续改变第一衬底偏置控制电压和第二衬底偏置控制电压的电平来优化功率消耗。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 优化 功耗 cmos 处理 中的 动态 反向 偏置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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