[发明专利]坩埚装置有效
| 申请号： | 201611262359.1 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN106637410B | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 杨翠柏;方聪;陈丙振;杨光辉 | 申请（专利权）人： | 珠海鼎泰芯源晶体有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 陈英俊;杨桦 |
| 地址： | 519085 广东省珠海市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能提高籽晶受热均匀性的坩埚装置，其包括坩埚本体和坩埚盖。坩埚本体呈桶形，具有桶底、桶壁和顶部开口，其中桶底和桶壁围成用于盛放物料的容置空间；坩埚盖盖设于坩埚本体的顶部开口，坩埚盖具有朝向桶底的内表面和背离桶底的外表面，坩埚盖内至少在中央区域设有中空部，中空部位于坩埚盖的内表面和外表面之间，中空部内填充有导热系数高于坩埚盖的填充物。本发明坩埚装置减小了坩埚盖径向温度梯度，有效提高了坩埚盖整体的温度均匀性，能为设置于坩埚盖内表面中心处的碳化硅籽晶生成成晶体提供了良好的条件，即提高了籽晶径向温度的均匀性，减小了晶体生长过程中的热应力，从而能生长出质量高的晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 坩埚盖 坩埚本体 坩埚装置 顶部开口 内表面 中空部 减小 桶壁 籽晶 晶体生长过程 径向温度梯度 内表面中心处 受热均匀性 碳化硅籽晶 温度均匀性 填充物 导热系数 容置空间 中空部位 中央区域 均匀性 热应力 盖设 盛放 桶形 填充 背离 生长 | ||
【主权项】：
1.一种坩埚装置，其特征在于，包括：坩埚本体，呈桶形，具有桶底、桶壁和顶部开口，其中所述桶底和桶壁围成用于盛放物料的容置空间；坩埚盖，盖设于所述坩埚本体的顶部开口，所述坩埚盖具有朝向所述桶底的内表面和背离所述桶底的外表面，所述坩埚盖内至少在中央区域设有中空部，所述中空部位于所述坩埚盖的内表面和外表面之间，所述中空部内填充有导热系数高于所述坩埚盖的填充物，所述填充物是石墨烯。
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