[发明专利]一种具有结终端延伸结构的肖特基二极管有效
| 申请号： | 201611259437.2 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN106653870B | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 李风浪 | 申请（专利权）人： | 王学兵;张觅;王同强 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 连围 |
| 地址： | 215000 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体肖特基器件领域，特别涉及一种具有结终端延伸结构的肖特基二极管，包括：第一导电类型衬底，第一导电类型半导体层，第二导电类型JTE区，绝缘层以及阳极金属层，所述第二导电类型JTE区上形成多个斜沟槽，所述第二导电类型JTE区围绕所述斜沟槽，靠近阳极金属层的第一个斜沟槽内填充第一导电材料，其余斜沟槽内填充第二导电材料，所述第二导电材料与所述第二导电类型JTE区形成肖特基接触，本发明进一步降低器件的击穿电压对JTE浓度的敏感度，提高二极管反向抗击穿能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 终端 延伸 结构 肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
1.一种具有结终端延伸结构的肖特基二极管，包括：第一导电类型衬底，形成在第一导电类型半导体衬底上的第一导电类型半导体层，形成在第一导电类型半导体层边缘的第二导电类型JTE区，形成在第二导电类型JTE区上的绝缘层以及与绝缘层相邻的形成在第一导电类型半导体层以及第二导电类型JTE区之上的阳极金属层，其特征在于：所述第二导电类型JTE区上形成多个斜沟槽，所述第二导电类型JTE区围绕所述斜沟槽，靠近阳极金属层的第一个斜沟槽内填充第一导电材料，其余斜沟槽内填充第二导电材料，所述第二导电材料与所述第二导电类型JTE区形成肖特基接触；靠近所述第二导电类型JTE区处，阳极金属层与所述第一导电类型半导体层之间形成n个绝缘隔离结构，n为正整数；所述绝缘隔离结构越靠近边缘越密集。
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