[发明专利]超结半导体器件的制备方法在审
| 申请号： | 201611250024.8 | 申请日： | 2016-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108258045A | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 钟圣荣;王荣华 | 申请（专利权）人： | 无锡华润华晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人： | 林祥 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种超结半导体器件的制备方法，该方法包括：提供N型衬底；在所述N型衬底上制备超结结构，并将所述超结结构入库存储；获取预制的所述超结结构，在所述超结结构上进行表面DMOS的制备。本发明将制造周期分为超结结构制备和表面DMOS制备两部分，制备后的超结结构可以供所有超结产品使用，后续根据客户需求选择特定产品类型进行产品制备，从而可以减少产品出货周期，提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 超结结构 制备 超结半导体器件 衬底 产品出货 产品类型 产品使用 产品制备 客户需求 生产效率 制造周期 预制的 超结 存储 入库 | ||
【主权项】：
1.一种超结半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供N型衬底；在所述N型衬底上制备超结结构，并将所述超结结构入库存储；获取预制的所述超结结构，在所述超结结构上进行表面DMOS的制备。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润华晶微电子有限公司，未经无锡华润华晶微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611250024.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种神经元晶体管结构及其制备方法
- 下一篇：半导体元件
- 同类专利
- 专利分类
