[发明专利]一种液晶显示装置的薄膜晶体管基板的封装方法及结构有效
申请号: | 201611244760.2 | 申请日: | 2016-12-29 |
公开(公告)号: | CN106783735B | 公开(公告)日: | 2019-05-07 |
发明(设计)人: | 平山秀雄 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1333 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 李庆波 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种液晶显示装置的薄膜晶体管基板的封装方法及结构,涉及液晶显示领域。该封装结构包括设置在薄膜晶体管基板上的至少一层密封膜层,其中,密封膜层包括有机薄膜层、自组装单层膜、无机薄膜层和硅薄膜层。该封装结构通过设置自组装单层膜和硅薄膜层,能够有效填补有机薄膜层和无机薄膜层中的针孔和晶粒边缘缺陷,能够提高封装结构的柔韧性和密封性。 | ||
搜索关键词: | 一种 液晶 显示装置 薄膜晶体管 封装 方法 结构 | ||
【主权项】:
1.一种液晶显示装置的薄膜晶体管基板的封装方法,其特征在于,包括:S11、对所述薄膜晶体管基板进行表面处理;S12、在经过表面处理后的所述薄膜晶体管基板上形成有机薄膜层;S13、将形成有所述有机薄膜层的所述薄膜晶体管基板放置在酸性溶液中进行浸泡,以除去表面污染物并活化表面羟基;S14、洗涤并吹干浸泡后的所述薄膜晶体管基板,并将所述薄膜晶体管基板放置在有机硅溶液中进行浸泡,以在所述有机薄膜层上形成自组装单层膜;S15、在所述薄膜晶体管基板的所述自组装单层膜上形成无机薄膜层;S16、将形成有所述无机薄膜层的所述薄膜晶体管基板放置在酸性溶液中进行浸泡,以除去表面污染物并活化其表面羟基;S17、在所述无机薄膜层上利用化学气相沉积法形成一层硅薄膜层,从而在所述薄膜晶体管基板的表面形成一层密封膜层,其中,所述密封膜层包括所述有机薄膜层、所述自组装单层膜、所述无机薄膜层和所述硅薄膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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