[发明专利]一种硅片表面自动清洗装置在审
| 申请号： | 201611240346.4 | 申请日： | 2016-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN106783689A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 李国刚 | 申请（专利权）人： | 苏州尚维光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 苏州广正知识产权代理有限公司32234 | 代理人： | 孙德荣 |
| 地址： | 215562 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种硅片表面自动清洗装置，包括清洗槽和升降装置，所述升降装置设置在清洗槽内部，所述清洗槽中间设置有隔板，将清洗槽分隔成上层和下层，所述升降装置包括升降机、限位开关和密封箱体，所述升降机底端连接在下层底部，上端穿过隔板延伸到上层顶部，所述限位开关设置在下层侧壁上，所述密封箱体设置在升降机顶部，所述密封箱体内设置有振打装置，顶部设置有硅片存储机构，所述硅片存储机构通过螺栓与密封箱体相连接。通过上述方式，本发明所述的硅片表面自动清洗装置，提高硅片的清洗效率，并且不对人体造成任何伤害，清洗时通过对硅片周边的清洗液进行震动，提高清洗液对硅片表面的冲击力，从而提高硅片的清洗质量，增大硅片的利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 表面 自动 清洗 装置 | ||
【主权项】：
一种硅片表面自动清洗装置，包括：清洗槽和升降装置，所述升降装置设置在清洗槽内部，其特征在于，所述清洗槽中间设置有隔板，将清洗槽分隔成上层和下层，所述升降装置包括升降机、限位开关和密封箱体，所述升降机底端连接在下层底部，上端穿过隔板延伸到上层顶部，所述限位开关设置在下层侧壁上，所述密封箱体设置在升降机顶部，所述密封箱体内设置有振打装置，顶部设置有硅片存储机构，所述硅片存储机构通过螺栓与密封箱体相连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州尚维光伏科技有限公司，未经苏州尚维光伏科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611240346.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种剥离装置及其剥离方法
- 下一篇：用于热释电传感器晶元芯片的批量极化电路板
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
