[发明专利]双面显示装置有效
| 申请号： | 201611235919.4 | 申请日： | 2016-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN106601777B | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 唐岳军 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 钟子敏 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开一种双面显示装置，所述双面显示装置包括基底、依次层叠设置在所述基底上方的TFT层、第一发光层及第一封装层、依次层叠设置在所述基底下方的第二发光层及第二封装层，其中，若干过孔贯穿所述基底并将所述TFT层与所述第一发光层及所述第二发光层电性连接。 | ||
| 搜索关键词： | 双面 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种双面显示装置，其特征在于，所述双面显示装置包括基底、依次层叠设置在所述基底上方的TFT层、第一发光层及第一封装层、依次层叠设置在所述基底下方的第二发光层及第二封装层，其中，若干过孔贯穿所述基底并将所述TFT层与所述第一发光层及所述第二发光层通过所述过孔电性连接；所述基底包括相对设置的第一基底和第二基底，所述TFT层、所述第一发光层及所述第一封装层依次层叠设置在所述第一基底上方，所述第二发光层及所述第二封装层依次层叠设置在所述第二基底下方，所述第一基底与所述第二基底之间通过异方性导电胶电性连接，其中，若干过孔贯穿所述第一基底、所述异方性导电胶及所述第二基底并将所述TFT层与所述第一发光层及所述第二发光层电性连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
