[发明专利]一种鳍式场效应晶体管金属图案的制备方法

摘要

本发明提供了一种鳍式场效应晶体管金属图案的制备方法，包括：提供金属层图形的目标图案版图，将目标图案版图中的目标图案先反相，再拆分，分成线层图案版图和线端切除层图案版图；提供一衬底，衬底具有鳍层和栅极层；并且，在衬底上沉积介质层和第一硬掩膜层；采用线层图案版图，经光刻和刻蚀工艺，在第一硬掩膜层中刻蚀出线层图案；采用线端切除层图案版图，经光刻和刻蚀工艺，将第一硬掩膜层中相应的线层图案的线端切除；在线层图案和暴露的介质层上沉积第二硬掩膜层；去除第一硬掩模层的线层图案，保留第二硬掩膜层；以第二硬掩膜层为掩膜，刻蚀介质层，在介质层中形成沟槽图案；在沟槽图案中填充金属并且平坦化金属表面，从而形成金属图案。

主权项

1.一种鳍式场效应晶体管金属图案的制备方法，其特征在于，包括：/n步骤01：提供一金属层图形的目标图案版图，将目标图案版图中的目标图案先进行反相，再进行拆分，分成线层图案版图和线端切除层图案版图；线端切除层图案和线层图案叠加形成目标图案；/n步骤02：提供一衬底，所述衬底具有鳍层和栅极层；并且，在衬底上沉积介质层和第一硬掩膜层；/n步骤03：采用线层图案版图，经光刻和刻蚀工艺，在第一硬掩膜层中刻蚀出线层图案；/n步骤04：采用线端切除层图案版图，经光刻和刻蚀工艺，将第一硬掩膜层中相应的线层图案的线端切除；/n步骤05：在线层图案和暴露的介质层上沉积第二硬掩膜层；/n步骤06：去除第一硬掩模层的线层图案，保留第二硬掩膜层；/n步骤07：以第二硬掩膜层为掩膜，刻蚀介质层，在介质层中形成沟槽图案；/n步骤08：在沟槽图案中填充金属并且平坦化金属表面，从而形成所述金属图案。/n