[发明专利]具有原子氧防护性的抗辐照玻璃盖板薄膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201611233522.1 申请日: 2016-12-28
公开(公告)号: CN106630678B 公开(公告)日: 2019-10-08
发明(设计)人: 孙希鹏;杜永超;肖志斌;李晓东 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第十八研究所;天津恒电空间电源有限公司
主分类号: C03C17/34 分类号: C03C17/34
代理公司: 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 代理人: 刘昕
地址: 300384 天津*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明提供具有原子氧防护性的抗辐照玻璃盖板薄膜及其制备方法,包括HfO2膜层和SiO2膜层两种膜层,HfO2膜层折射率为1.93±0.02,SiO2膜层的折射率为1.45±0.01,HfO2膜层和SiO2膜层共18层。该薄膜使用HfO2和SiO2材料为表面薄膜材料,不会因被高活性的原子氧氧化而变性,提升了表面薄膜的化学稳定性,且镀膜后盖片的透射率可达MgF2薄膜水平,有利于提高太阳电池组件的工作效率。
搜索关键词: 具有 原子 防护 辐照 玻璃 盖板 薄膜 及其 制备 方法
【主权项】:
1.具有原子氧防护性的抗辐照玻璃盖板薄膜,其特征在于:包括HfO2膜层和SiO2膜层两种膜层,所述HfO2膜层折射率为1.93±0.02,所述SiO2膜层的折射率为1.45±0.01,所述HfO2膜层和所述SiO2膜层共18层,材料及厚度依次为:第1膜层材料为HfO2,厚度为10±1nm,第2膜层材料为SiO2,厚度为66±4nm,第3膜层材料为HfO2,厚度为15±1nm,第4膜层材料为SiO2,厚度为72±4nm,第5膜层材料为HfO2,厚度为22±2nm,第6膜层材料为SiO2,厚度为63±4nm,第7膜层材料为HfO2,厚度为30±2nm,第8膜层材料为SiO2,厚度为50±3nm,第9膜层材料为HfO2,厚度为43±3nm,第10膜层材料为SiO2,厚度为35±2nm,第11膜层材料为HfO2,厚度为53±3nm,第12膜层材料为SiO2,厚度为33±2nm,第13膜层材料为HfO2,厚度为49±3nm,第14膜层材料为SiO2,厚度为39±2nm,第15膜层材料为HfO2,厚度为39±2nm,第16膜层材料为SiO2,厚度为53±3nm,第17膜层材料为HfO2,厚度为21±2nm,第18膜层材料为SiO2,厚度为125±7nm。
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