[发明专利]GOA电路有效

专利信息
申请号: 201611230448.8 申请日: 2016-12-27
公开(公告)号: CN106486075B 公开(公告)日: 2019-01-22
发明(设计)人: 李亚锋 申请(专利权)人: 武汉华星光电技术有限公司
主分类号: G09G3/36 分类号: G09G3/36
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 代理人: 林才桂;刘巍
地址: 430070 湖北省武汉市*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及一种GOA电路。该GOA电路包括级联的多个GOA电路单元,其中第n级GOA电路单元包括:第一薄膜晶体管(T1),第二薄膜晶体管(T2),第三薄膜晶体管(T3),第四薄膜晶体管(T4),第五薄膜晶体管(T5),第六薄膜晶体管(T6),第七薄膜晶体管(T7),第八薄膜晶体管(T8),第九薄膜晶体管(T9),第十薄膜晶体管(T10),第一电容(C1)及第二电容(C2)。本发明的GOA电路在现有的GOA电路基础上增加T9、T10,2个TFT,无需D2U和U2D控制信号的配合就可以实现正反向扫描功能,这对于更窄边框的设计起到一定的帮助作用;同时该GOA电路对应的驱动时序简单,可以降低IC成本。
搜索关键词: goa 电路
【主权项】:
1.一种GOA电路,包括级联的多个GOA电路单元,其中第n级GOA电路单元包括:第一薄膜晶体管(T1)、第九薄膜晶体管(T9)、第三薄膜晶体管(T3)、第十薄膜晶体管(T10)、第七薄膜晶体管(T7)、第六薄膜晶体管(T6)、第五薄膜晶体管(T5)、第八薄膜晶体管(T8)、第二薄膜晶体管(T2)、第一电容(C1)、第四薄膜晶体管(T4)、第二电容(C2);其特征在于,所述第一薄膜晶体管(T1),其栅极连接恒压高电位(VGH),第一源极/漏极连接第n‑2级GOA电路单元的信号输出点(Gn‑2),第二源极/漏极连接第九薄膜晶体管(T9)的第一源极/漏极;所述第九薄膜晶体管(T9),其栅极连接第n‑2级GOA电路单元的信号输出点(Gn‑2),第二源极/漏极连接第三节点(H);所述第三薄膜晶体管(T3),其栅极连接恒压高电位(VGH),第一源极/漏极连接第n+2级GOA电路单元的信号输出点(Gn+2),第二源极/漏极连接第十薄膜晶体管(T10)的第一源极/漏极;所述第十薄膜晶体管(T10),其栅极连接第n+2级GOA电路单元的信号输出点(Gn+2),第二源极/漏极连接第三节点(H);所述第七薄膜晶体管(T7),其栅极连接第三节点(H),源极和漏极分别连接第二节点(P)和恒压低电位(VGL);所述第六薄膜晶体管(T6),其栅极连接第二节点(P),源极和漏极分别连接第三节点(H)和恒压低电位(VGL);所述第五薄膜晶体管(T5),其栅极连接恒压高电位(VGH),源极和漏极分别连接第三节点(H)和第一节点(Q);所述第八薄膜晶体管(T8),其栅极输入第二时钟信号(CKV3),源极和漏极分别连接第二节点(P)和恒压高电位(VGH);所述第二薄膜晶体管(T2),其栅极连接第一节点(Q),源极和漏极分别连接第n级GOA电路单元的信号输出点(Gn)和输入第一时钟信号(CKV1);所述第一电容(C1),其两端分别连接第一节点(Q)和第n级GOA电路单元的信号输出点(Gn);所述第四薄膜晶体管(T4),其栅极连接第二节点(P),源极和漏极分别连接第n级GOA电路单元的信号输出点(Gn)和恒压低电位(VGL);所述第二电容(C2),其两端分别连接第二节点(P)和恒压低电位(VGL)。
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