[发明专利]一种基于多孔硅/量子点的荧光生物传感器基底材料的制备方法

摘要

本发明公开了一种基于多孔硅/量子点的荧光生物传感器基底材料的制备方法，包括以下步骤：电化学腐蚀法制备多层多孔硅样品；制备待测抗原；通过偶联剂将水溶性CdSe/ZnS量子点羧基活化，与表面有氨基功能团的生物分子偶联；将待测抗原渗透到多层多孔硅样品；将量子点偶联的抗体渗透到待测抗原修饰的多层多孔硅样品，得到所述基于多孔硅/量子点的荧光生物传感器基底材料；对样品进行表面形貌表征、反射谱测量及荧光检测。本发明的有益效果为：本发明提供的制备方法，以量子点为荧光标记物，多孔硅为荧光放大器的生物传感器检测低浓度的待测抗原，其检测灵敏度显著提高，也可调整为其他生物的特异性检测，扩大了适用范围。

主权项

1.一种基于多孔硅/量子点的荧光生物传感器基底材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1）在常温环境下，用电化学腐蚀法制备多层多孔硅样品，采用的基底单晶硅材料为P型；2）制备待测抗原；具体制备方法为：将重组菌P38在无菌条件下接种于含100mg/mL卡纳霉素的10ml的LB培养基中进行培养，经过异丙基硫代‑β‑D‑半乳糖苷诱导、超声破碎、纯化得到最终包虫病抗原，通过SDS‑PAGE电泳检测抗原蛋白表达；3）通过偶联剂EDC和sulfo‑NHS将水溶性CdSe/ZnS量子点羧基活化，与表面有氨基功能团的抗体偶联；4）将步骤2）得到的待测抗原渗透到步骤1）得到的多层多孔硅样品；5）将步骤3）得到的量子点偶联的抗体渗透到步骤4）得到的待测抗原修饰的多层多孔硅样品，得到所述基于多孔硅/量子点的荧光生物传感器基底材料；6）根据荧光光谱仪检测多孔硅上偶联量子点的荧光强度，从而检测待测抗原的浓度，经过多孔硅布拉格反射镜的高反射带，将量子点免疫反应结合物向下发射的荧光反射成向上发射的荧光，增强量子点免疫反应结合物的荧光，提高了多孔硅生物传感器的灵敏度。