[发明专利]一种无源器件高品质因素电感制作方法有效
| 申请号： | 201611226812.3 | 申请日： | 2016-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN106744661B | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 陈一峰 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;H01L23/64 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 徐丰 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种无源器件高品质因素电感制作方法，包括以下步骤：S1、刻蚀衬底，定义出空气桥的桥墩；S2、在经刻蚀后的衬底上生长一层SiN隔离层；S3、在SiN隔离层上旋涂第二光刻胶，采用光刻方式定义出空气桥的桥梁；S4、在衬底、桥墩及桥梁上沉积一层起镀层；S5、在起镀层上旋涂第三光刻胶，采用光刻方式定义出电感区域；S6、在电感区域电镀一层Au，形成金属层；S7、去除第三光刻胶、起镀层及桥梁，得到空气桥电感。本发明采用MEMS深度刻蚀工艺，在衬底上刻蚀出凹槽，并在凹槽上利用空气桥制作电感，进一步增大了电感到衬底的距离，减小衬底对电感的影响，提高电感Q值。 | ||
| 搜索关键词： | 电感 衬底 空气桥 光刻胶 镀层 刻蚀 电感区域 方式定义 无源器件 高品质 隔离层 光刻 桥墩 上旋 桥梁 制作 刻蚀工艺 电镀 金属层 减小 沉积 去除 生长 | ||
【主权项】：
1.一种无源器件高品质因素电感制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、在衬底上光刻出多个凹槽，每个凹槽之间的衬底构成空气桥的桥墩；S2、在经刻蚀后的衬底上生长一层SiN隔离层；S3、在SiN隔离层上旋涂第二光刻胶，采用光刻方式定义出空气桥的桥梁；S4、在衬底、桥墩及桥梁上沉积一层起镀层；S5、在起镀层上旋涂第三光刻胶，采用光刻方式定义出电感区域；S6、在电感区域电镀一层Au，形成金属层；S7、去除第三光刻胶、起镀层及桥梁，得到空气桥电感。
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