[发明专利]一种低温多晶硅阵列基板及其制作方法有效
| 申请号： | 201611224771.4 | 申请日： | 2016-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN106783734B | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 郭远 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12;H01L21/336 |
| 代理公司： | 44280 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 钟子敏<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种低温多晶硅阵列基板及其制作方法，该方法包括：在玻璃基底上形成遮光层；在所述遮光层上形成缓冲层，之后在所述缓冲层上沉积单晶硅材料并进行处理以形成多晶硅岛；采用第一光罩同时对所述多晶硅岛的NMOS区域进行沟道掺杂，以及对所述多晶硅岛的PMOS区域两端进行P‑轻掺杂处理；对采用所述第一光罩处理后的基板进行N+重掺杂处理；在N+重掺杂处理后的基板上形成栅绝缘层，之后在所述栅绝缘层上形成栅电极层并进行N‑轻掺杂处理；采用第二光罩对N‑轻掺杂区进行处理，之后对处理后的基板进行P+重掺杂处理。本发明可以改善PMOS晶体管的热载流子效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 多晶 阵列 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制作低温多晶硅阵列基板的方法，包括：/n在玻璃基底上形成遮光层；/n在所述遮光层上形成缓冲层，之后在所述缓冲层上沉积单晶硅材料并进行处理以形成多晶硅岛；/n采用第一光罩同时对所述多晶硅岛的NMOS区域进行沟道掺杂，以及对所述多晶硅岛的PMOS区域两端进行P-轻掺杂处理，以分别形成NMOS沟道和PMOS沟道；/n对采用所述第一光罩处理后的基板进行N+重掺杂处理，以形成分别位于NMOS沟道两侧的源极区和漏极区；/n在N+重掺杂处理后的基板上形成栅绝缘层，之后在所述栅绝缘层上形成栅电极层并进行N-轻掺杂处理，以形成所述NMOS沟道与其两侧的源极区和漏极区之间的N-轻掺杂区；/n采用第二光罩对N-轻掺杂区进行处理，之后对处理后的基板进行P+重掺杂处理，以形成PMOS沟道两侧的源极区和漏极区，以及所述PMOS沟道与其两侧的源极区和漏极区之间的P-轻掺杂区。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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