[发明专利]石墨烯基透红外电磁屏蔽滤波器、硫化锌窗口及其制备方法有效
申请号: | 201611224658.6 | 申请日: | 2016-12-27 |
公开(公告)号: | CN106653931B | 公开(公告)日: | 2018-02-23 |
发明(设计)人: | 邱阳;祖成奎;金扬利;陈玮;韩滨;徐博;伏开虎 | 申请(专利权)人: | 中国建筑材料科学研究总院 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;H05K9/00 |
代理公司: | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙)11348 | 代理人: | 王伟锋,刘铁生 |
地址: | 100024*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种石墨烯基透红外电磁屏蔽滤波器、硫化锌窗口及其制备方法,制备方法包括如下步骤在铜箔表面生长石墨烯薄膜Gr;在石墨烯薄膜一侧喷涂高分子过渡层TL,固化后获得铜箔/Gr/TL复合体;在高分子过渡层一侧喷涂液态PMMA;将铜箔刻蚀掉;将Gr/TL/PMMA复合体转移至硫化锌窗口内表面;将高分子过渡层溶解,PMMA载体与石墨烯薄膜分离,得到ZnS/Gr复合体;直至硫化锌窗口内侧的石墨烯薄膜的电性能满足电磁屏蔽要求,最终在硫化锌窗口内侧表面形成石墨烯基透红外电磁屏蔽滤波器。本发明红外透过率高,易于制备。 | ||
搜索关键词: | 石墨 烯基透 红外 电磁 屏蔽 滤波器 硫化锌 窗口 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
石墨烯基透红外电磁屏蔽滤波器的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:在铜箔表面生长石墨烯薄膜Gr,得到铜箔/Gr复合体;在铜箔/Gr复合体的石墨烯薄膜一侧喷涂高分子过渡层TL,固化后获得铜箔/Gr/TL复合体;铜箔/Gr/TL复合体的高分子过渡层一侧喷涂液态PMMA,固化后获得铜箔/Gr/TL/PMMA复合体;将铜箔刻蚀掉得到Gr/TL/PMMA复合体;将Gr/TL/PMMA复合体转移至硫化锌窗口内表面,得到得ZnS/Gr/TL/PMMA复合体;将ZnS/Gr/TL/PMMA复合体置于有机溶剂中,使高分子过渡层溶解,PMMA载体与石墨烯薄膜分离,得到ZnS/Gr复合体;按上述步骤在硫化锌窗口内侧转移至少一层石墨烯薄膜,直至硫化锌窗口内侧的石墨烯薄膜的电性能满足电磁屏蔽要求,最终在硫化锌窗口内侧表面形成石墨烯基透红外电磁屏蔽滤波器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的