[发明专利]基于三相双主动桥式DC‑DC变换器的光伏并网系统在审
申请号: | 201611216016.1 | 申请日: | 2016-12-26 |
公开(公告)号: | CN106787752A | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 严干贵;李泳霖;贾祺;张津豪 | 申请(专利权)人: | 东北电力大学 |
主分类号: | H02M3/335 | 分类号: | H02M3/335;H02S40/30;H02J3/38 |
代理公司: | 吉林市达利专利事务所22102 | 代理人: | 陈传林 |
地址: | 132012 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 本发明是一种基于三相双主动桥式DC‑DC变换器的光伏并网系统,其特点是,包括一个三相DAB变换器与光伏阵列电源相连接;三相DAB变换器由十二个半导体开关、四个直流电容、三个高频电感和一个三相高频变压器T构成半导体开关由IGBT或MOSFET构成;三相高频变压器采用Y‑Y接线形式,工作频率均大于50Hz。三相DAB变换器采用传统移相控制,每个桥臂的导电角度为180°,同一半桥上下两个臂交替导电,各相开始导电的角度依次相差120°,通过控制方波之间的相角就可以控制加在串联电感两端电压的大小和流向。光伏并网系统中三相DAB变换器可使电气隔离,保证光伏阵列电源的安全运行。 | ||
搜索关键词: | 基于 三相 主动 dc 变换器 并网 系统 | ||
【主权项】:
一种基于三相双主动桥式DC‑DC变换器的光伏并网系统,其特征是,它包括一个三相DAB变换器与光伏阵列电源相连接;所述的三相DAB变换器由十二个半导体开关S1~S6及Q1~Q6、四个直流电容C1~C4、三个高频电感L1~L3和一个三相高频变压器T构成:所述的半导体开关S1的发射极与半导体开关S4的集电极连接在公共连接点P1构成第一个桥臂,所述的半导体开关S3的发射极与半导体开关S6的集电极连接在公共连接点P2构成第二个桥臂,所述的半导体开关S5的发射极与半导体开关S2的集电极连接在公共连接点P3构成第三个桥臂,所述半导体开关S1、S3、S5的集电极与直流电容C1的正极及光伏阵列电源U1的正极相连;半导体开关S4、S6、S2的发射极与直流电容C2的负极及光伏阵列电源U1的负极相连;公共连接点P1、P2、P3分别与高频变压器T的A、B、C三相高压侧绕组串联连接;所述的半导体开关Q1的发射极与半导体开关S4的集电极连接在公共连接点P4构成第四个桥臂,所述的半导体开关Q3的发射极与半导体开关S6的集电极连接在公共连接点P5构成第五个桥臂,所述的半导体开关Q5的发射极与半导体开关S2的集电极连接在公共连接点P6构成第六个桥臂,所述的半导体开关Q1、Q3、Q5的集电极与直流电容C3的正极相连;所述的半导体开关Q4、Q6、Q2的发射极与直流电容C2的负极相连;公共连接点P4、P5、P6分别与高频电感L1、L2、L3以及高频变压器T的A、B、C三相低压侧绕组串联连接;所述的第一至第六个桥臂的结构相同,所述的半导体开关S1~S6及Q1~Q6由IGBT或MOSFET构成;三相DAB变换器采用传统移相控制;三相高频变压器采用Y‑Y接线形式,工作频率大于50Hz;高频电感的电感量大于等于零。
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