[发明专利]一种Nb/NbN多层耐蚀导电薄膜及其制备方法

摘要

本发明公开了一种Nb/NbN多层耐蚀导电薄膜及其制备方法，包括交替沉积在基体上的Nb层与NbN层，靠近基体的为Nb层，最外层为NbN层，所述Nb层与NbN层的交界处的界面相为六方结构的Nb₂N相，所述Nb层与NbN层交替沉积至少10次。本发明采用Nb/NbN多层薄膜，近基体层为金属Nb层，可以与基体良好结合，保证了薄膜与基体良好的结合力；薄膜多层结构有效的阻碍了腐蚀介质进入薄膜内部的通路，且薄膜主要组成相NbN、Nb₂N及Nb相均为耐腐蚀相，提高薄膜的耐腐蚀性能；利用金属Nb的导电性提高了薄膜的导电性，根据工艺条件制备出的多层薄膜，避免了因为层数过多使本体电阻增加的影响，保证了薄膜导电性不受影响；利用多弧离子镀技术沉积多层薄膜，提高了工作效率，工艺简单易行，有利于大规模工业化生产。

主权项

1.一种Nb/NbN多层耐蚀导电薄膜，其特征在于，包括交替沉积在基体上的Nb层与NbN层，靠近基体的为Nb层，最外层为NbN层，所述Nb层与NbN层的交界处的界面相为六方结构的Nb₂N相，所述Nb层与NbN层交替沉积至少10次；所述薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)将基体超声波清洗后放入真空室，再对基体进行氩离子轰击清洗；(2)打开金属Nb靶，沉积Nb层，沉积时间为8～10min，完成单个Nb层的沉积；(3)保持基体温度、偏压、气体分压、转架速度不变，Ar气流量减至15～25sccm，加充氮气流量为280～300sccm，沉积NbN层，沉积时间为7～9min，完成单个NbN层的沉积；(4)重复步骤(2)和步骤(3)，在基材上交替沉积上Nb层与NbN层。