[发明专利]一种微电极阵列的制备方法有效
申请号: | 201611206553.8 | 申请日: | 2016-12-23 |
公开(公告)号: | CN106646048B | 公开(公告)日: | 2019-11-12 |
发明(设计)人: | 吴天准;李腾跃;孙滨 | 申请(专利权)人: | 深圳市中科先见医疗科技有限公司 |
主分类号: | G01R31/00 | 分类号: | G01R31/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 郭晓宇 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙岗区龙城街*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供了一种微电极阵列的制备方法,包括:制备基底;在基底上制备第一柔性绝缘衬底,并通过干法刻蚀的方法对第一柔性绝缘衬底进行图形化;在第一柔性绝缘衬底上制备金属电连接结构;在金属电连接结构上制备一介电层,并通过干法刻蚀的方法将介电层图形化,使得介电层包裹住第一柔性绝缘衬底;在介电层上制备第二柔性绝缘衬底,并在第二柔性绝缘衬底上制备微电极阵列的金属结构;在微电极阵列的金属结构上制备第三层柔性绝缘衬底,并通过干法刻蚀的方法制备出微电极阵列的轮廓,释放出金属刺激电极点及焊接点,其中焊接点的通孔位置被刻穿,暴露出底层与其对应的金属电连接结构;将微电极阵列的焊接点与金属电连接结构焊接到一起;去除基底。 | ||
搜索关键词: | 制备 微电极阵列 衬底 绝缘 连接结构 金属电 干法刻蚀 焊接点 介电层 基底 金属结构 图形化 通孔位置 第三层 电极点 电层 刻穿 去除 金属 释放 暴露 刺激 | ||
【主权项】:
1.一种微电极阵列的制备方法,其特征在于,所述方法包括:步骤1,制备基底;步骤2,在所述基底上制备第一柔性绝缘衬底,并通过干法刻蚀的方法对所述第一柔性绝缘衬底进行图形化;步骤3,在所述第一柔性绝缘衬底上制备金属电连接结构;所述金属电连接结构的一端设计成与所述微电极阵列焊接端相对应的结构,另一端设计为连接到PCB的结构,以实现对高密度的微电极阵列的自动化测试,或对微电极阵列进行可靠性测试前后实现电学性能测试,评估器件的可靠性;所述金属电连接结构的材料为铝,适用于对高密度微电极阵列做自动化电学测试,测试后可将附加的电连接结构去除掉;步骤4,在所述金属电连接结构上制备一介电层,并通过干法刻蚀的方法将所述介电层图形化,使得所述介电层包裹住所述第一柔性绝缘衬底;步骤5,在所述介电层上制备第二柔性绝缘衬底,并在所述第二柔性绝缘衬底上制备微电极阵列的金属结构;步骤6,在所述微电极阵列的金属结构上制备第三层柔性绝缘衬底,并通过干法刻蚀的方法制备出所述微电极阵列的轮廓,释放出金属刺激电极点及焊接点,其中所述焊接点的通孔位置被刻穿,暴露出底层与其对应的金属电连接结构;步骤7,将所述微电极阵列的焊接点与所述金属电连接结构焊接到一起;步骤8,去除所述基底。
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