[发明专利]一种终端结构及其制作方法和功率半导体器件

摘要

本发明公开了一种终端结构及其制作方法和功率半导体器件，首先在基材表面淀积一层多晶硅层，而后分阶段淀积含氧量呈增大趋势的多层过渡掺氧半绝缘多晶硅层，最后稳定通入目标流量的一氧化二氮，以淀积一层目标含氧量的目标掺氧半绝缘多晶硅层。由于多晶硅层、过渡掺氧半绝缘多晶硅层和目标掺氧半绝缘多晶硅层顺延基材的界面生长，且由于过渡掺氧半绝缘多晶硅层和目标掺氧半绝缘多晶硅层的含氧量是渐变的，进而降低了界面突变产生的陷阱，减少了界面处电荷的积累，进而减小漏电电流，保证了功率半导体器件的性能高。

主权项

1.一种终端结构的制作方法，所述终端结构应用于功率半导体器件，其特征在于，包括：放置基材至反应室；在所述反应室中通入预设流量的硅烷，以在所述基材的一表面淀积多晶硅层；保持通入所述预设流量的硅烷，且在所述反应室中依次通入第一流量至第N流量的一氧化二氮，以在所述多晶硅层背离所述基材一侧对应依次淀积含氧量呈增大趋势的第一过渡掺氧半绝缘多晶硅层至第N过渡掺氧半绝缘多晶硅层，其中，第i流量大于第i‑1流量，i为大于1且不大于N的正整数，且N为不小于2的整数；保持通入所述预设流量的硅烷，且通入目标流量的一氧化二氮，以在所述第N过渡掺氧半绝缘多晶硅层背离所述基材一侧淀积目标掺氧半绝缘多晶硅层，其中，所述目标流量大于所述第N流量，且所述目标掺氧半绝缘多晶硅层的含氧量大于所述第N过渡掺氧半绝缘多晶硅层的含氧量。