[发明专利]电磁器件分析中电磁-热-应力三场去耦合计算方法有效

专利信息
申请号: 201611193245.6 申请日: 2016-12-21
公开(公告)号: CN106650093B 公开(公告)日: 2020-04-28
发明(设计)人: 沈昱舟;周天益;王瑞;吴明光;崔万照;皇甫江涛;冉立新 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: G06F30/20 分类号: G06F30/20;G06F119/08;G06F119/14
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 林超
地址: 310058 浙江*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种电磁器件分析中电磁‑热‑应力三场耦合的去耦合计算方法。根据电磁波传播原理与阻抗边界条件建立电磁波在金属微波器件内壁的微波电磁损耗模型,通过微波电磁损耗模型将电磁场和力场之间去耦合,平面波入射到金属微波器件时在内部形成电磁场分布会产生热量,先计算获得金属内壁产生的热损耗分布,根据热损耗分布进行求解得到温度场分布,根据温度场分布计算获得热应变分布,获得去耦合计算结果。本发明依据电磁波传播原理将电磁‑热‑应力三场耦合计算简化为电磁‑热,热‑应力两次两场计算,大大降低了计算复杂度,工程分析中适用性强。
搜索关键词: 电磁 器件 分析 应力 三场去 耦合 计算方法
【主权项】:
一种电磁器件分析中电磁‑热‑应力三场耦合的去耦合计算方法,其特征在于包括以下步骤:根据电磁波传播原理与阻抗边界条件建立电磁波在金属微波器件内壁的微波电磁损耗模型,通过微波电磁损耗模型将电磁场和力场之间去耦合,使得电磁场通过温度场间接与力场耦合,进而对力场分布计算。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学,未经浙江大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201611193245.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top