[发明专利]电磁器件分析中电磁-热-应力三场去耦合计算方法有效
申请号: | 201611193245.6 | 申请日: | 2016-12-21 |
公开(公告)号: | CN106650093B | 公开(公告)日: | 2020-04-28 |
发明(设计)人: | 沈昱舟;周天益;王瑞;吴明光;崔万照;皇甫江涛;冉立新 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | G06F30/20 | 分类号: | G06F30/20;G06F119/08;G06F119/14 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 林超 |
地址: | 310058 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种电磁器件分析中电磁‑热‑应力三场耦合的去耦合计算方法。根据电磁波传播原理与阻抗边界条件建立电磁波在金属微波器件内壁的微波电磁损耗模型,通过微波电磁损耗模型将电磁场和力场之间去耦合,平面波入射到金属微波器件时在内部形成电磁场分布会产生热量,先计算获得金属内壁产生的热损耗分布,根据热损耗分布进行求解得到温度场分布,根据温度场分布计算获得热应变分布,获得去耦合计算结果。本发明依据电磁波传播原理将电磁‑热‑应力三场耦合计算简化为电磁‑热,热‑应力两次两场计算,大大降低了计算复杂度,工程分析中适用性强。 | ||
搜索关键词: | 电磁 器件 分析 应力 三场去 耦合 计算方法 | ||
【主权项】:
一种电磁器件分析中电磁‑热‑应力三场耦合的去耦合计算方法,其特征在于包括以下步骤:根据电磁波传播原理与阻抗边界条件建立电磁波在金属微波器件内壁的微波电磁损耗模型,通过微波电磁损耗模型将电磁场和力场之间去耦合,使得电磁场通过温度场间接与力场耦合,进而对力场分布计算。
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