[发明专利]一种多层自带绒面的AZO薄膜在审
申请号: | 201611188632.0 | 申请日: | 2016-12-21 |
公开(公告)号: | CN107527959A | 公开(公告)日: | 2017-12-29 |
发明(设计)人: | 彭寿;姚婷婷;杨勇;金克武;李刚;沈洪雪;曹欣;徐根保;王芸 | 申请(专利权)人: | 蚌埠玻璃工业设计研究院;中国建材国际工程集团有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0445 |
代理公司: | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所34113 | 代理人: | 陈俊 |
地址: | 233010 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开一种多层自带绒面的AZO薄膜,包括依次叠加的底层AZO薄膜、中间层AZO薄膜与顶层AZO薄膜,各层AZO薄膜的晶粒尺寸由下至上依次增加,每层AZO薄膜的表面均呈凹凸结构,各层AZO薄膜的表面粗糙度由下至上依次增加;将不同晶粒尺寸的AZO薄膜叠加,且由下至上晶粒尺寸逐渐变大,每一层AZO薄膜表面都带有凹凸结构,从而得到多层绒面结构的AZO薄膜,使得太阳光在入射以后,形成对光的折射和散射,把入射到薄膜中的光分散到各个角度,从而提高入射光在电池中的光程,增加光的吸收,增大电子空穴的形成几率。 | ||
搜索关键词: | 一种 多层 带绒面 azo 薄膜 | ||
【主权项】:
一种多层自带绒面的AZO薄膜,其特征在于,包括依次叠加的底层AZO薄膜、中间层AZO薄膜与顶层AZO薄膜,各层AZO薄膜的晶粒尺寸由下至上依次增加,每层AZO薄膜的表面均呈凹凸结构,各层AZO薄膜的表面粗糙度由下至上依次增加。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的